Číslo produktu výrobce:
3LP01M-TL-E
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
3LP01M-TL-E-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount MCP
Inventář:
12836879
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
3LP01M-TL-E Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10.4Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.43 nC @ 10 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7.5 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
150mW (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
MCP
Balení / pouzdro
SC-70, SOT-323
Základní číslo výrobku
3LP01
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2156-3LP01M-TL-E-ONTR
ONSONS3LP01M-TL-E
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RSC002P03T316
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
51619
DiGi ČÍSLO DÍLU
RSC002P03T316-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.03
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
NX3008PBKW,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
91615
DiGi ČÍSLO DÍLU
NX3008PBKW,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.03
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSS84LT1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSS84LT1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.03
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
BS170-D75Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
FDMS0309AS
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
FDBL86361-F085
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
