BVSS123LT1G
Číslo produktu výrobce:

BVSS123LT1G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

BVSS123LT1G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventář:

16032 Ks Nový Originál Skladem
12845648
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

BVSS123LT1G Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
170mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
225mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3 (TO-236)
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
BVSS123

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
2156-BVSS123LT1G-OS
BVSS123LT1GOSDKR
BVSS123LT1GOSCT
BVSS123LT1GOSTR
BVSS123LT1G-DG
ONSONSBVSS123LT1G

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
alpha-and-omega-semiconductor

AOD478

MOSFET N-CH 100V 2.5A/11A TO252

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF288L

MOSFET N-CH 80V 10.5A/43A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AO4478L

MOSFET N-CH 100V 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOW284

MOSFET N-CH 80V 15A/105A TO262