Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
ECH8309-TL-H
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
ECH8309-TL-H-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-ECH
Inventář:
2746 Ks Nový Originál Skladem
12837772
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ECH8309-TL-H Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1780 pF @ 6 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-ECH
Balení / pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Základní číslo výrobku
ECH8309
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
ECH8309
Technické listy
ECH8309-TL-H
HTML Datový list
ECH8309-TL-H-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
ECH8309-TL-H-DG
ECH8309-TL-HOSTR
ECH8309-TL-HOSDKR
ECH8309-TL-HOSCT
2832-ECH8309-TL-HTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
ECH8308-TL-H
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3015
DiGi ČÍSLO DÍLU
ECH8308-TL-H-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.28
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
FDD3690
MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
FDMJ1027P
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6MICROFET
FQB65N06TM
MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
BSC020N03LSGATMA2
LV POWER MOS