Číslo produktu výrobce:
EFC6601R-A-TR
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
EFC6601R-A-TR-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Podrobný popis:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Inventář:
12924223
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
EFC6601R-A-TR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkce FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
-
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
-
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Výkon - Max
2W
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-XFBGA, FCBGA
Balíček zařízení dodavatele
EFCP2718-6CE-020
Základní číslo výrobku
EFC6601
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
2156-EFC6601R-A-TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMD4N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
FDMA1023PZ-F106
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
NTE2960
MOSFET 2N-CH 900V 7A TO220
