EMF23XV6T5G
Číslo produktu výrobce:

EMF23XV6T5G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

EMF23XV6T5G-DG

Popis:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA 140MHz 357mW Surface Mount SOT-563

Inventář:

88000 Ks Nový Originál Skladem
12997199
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

EMF23XV6T5G Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
onsemi
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V, 60V
Rezistor - Báze (R1)
10kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
10kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA, 500pA (ICBO)
Frekvence - přechod
140MHz
Výkon - Max
357mW
Třída
-
Kvalifikace
-
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SOT-563

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Datasheet

Další informace

Standardní balíček
5,323
Další jména
2156-EMF23XV6T5G-488

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Vendor Undefined
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
nxp-semiconductors

PUMF12,115

NEXPERIA PUMF12 - SMALL SIGNAL B

nexperia

PIMN32X

TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSOP

nexperia

PIMP31-QX

TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSOP

nexperia

PIMP32X

TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSOP