EMF5XV6T1G
Číslo produktu výrobce:

EMF5XV6T1G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

EMF5XV6T1G-DG

Popis:

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 357mW Surface Mount SOT-563

Inventář:

12986570
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

EMF5XV6T1G Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
EMF
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA, 500mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V, 12V
Rezistor - Báze (R1)
47kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
-
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA, 100nA (ICBO)
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
357mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SOT-563
Základní číslo výrobku
EMF5XV

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
1
Další jména
488-EMF5XV6T1GTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
nexperia

PUMH7HF

PUMH7HF

diodes

DCX124EUQ-13-F

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10

nexperia

PUMB3HF

PUMB3HF

nexperia

PUMD6HX

PUMD6HX