Číslo produktu výrobce:
FCA36N60NF
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCA36N60NF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventář:
12850149
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCA36N60NF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
FRFET®, SupreMOS®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
34.9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
95mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4245 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
312W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PN
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FCA36N60
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
450
Další jména
488-FCA36N60NF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TK31J60W,S1VQ
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
25
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK31J60W,S1VQ-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.32
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
TK31J60W5,S1VQ
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
25
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK31J60W5,S1VQ-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.54
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
EMH1405-P-TL-H
MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
