Číslo produktu výrobce:
FCB110N65F
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCB110N65F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
4800 Ks Nový Originál Skladem
12838140
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCB110N65F Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
FRFET®, SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 3.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4895 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
357W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FCB110
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FCB110N65FCT
FCB110N65FTR
FCB110N65FDKR
2156-FCB110N65F-OS
ONSONSFCB110N65F
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STB37N60DM2AG
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB37N60DM2AG-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.16
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDP7N60NZ
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
FQPF6N40CF
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
