Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCD850N80Z
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCD850N80Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
15910 Ks Nový Originál Skladem
12839201
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCD850N80Z Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 600µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1315 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
75W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FCD850
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCx850N80Z
Technické listy
FCD850N80Z
HTML Datový list
FCD850N80Z-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FCD850N80ZDKR
FCD850N80ZDKR-DG
FCD850N80ZTR
FCD850N80ZCT
FCD850N80ZDKRINACTIVE
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SPD06N80C3ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPD06N80C3ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.78
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
IPD60R800CEAUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2503
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60R800CEAUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.27
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
IPD60R600C6ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9634
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60R600C6ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.50
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
IPD60R600P6ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4899
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60R600P6ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.51
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
IPD60R2K1CEAUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
10286
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.17
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
FQD2P40TM
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
HUF75939P3
MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
FQPF1N50
MOSFET N-CH 500V 900MA TO220F
BSS316NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3