Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCD9N60NTM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCD9N60NTM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 92.6W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
Poptejte online
12839921
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCD9N60NTM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
SupreMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
92.6W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FCD9N60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCD9N60NTM Datasheet
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
2156-FCD9N60NTM-OS
FCD9N60NTMCT
FCD9N60NTMDKR
ONSONSFCD9N60NTM
FCD9N60NTMTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STD15N60M2-EP
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD15N60M2-EP-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.63
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STD13NM60ND
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1927
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD13NM60ND-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.83
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SIHD14N60E-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1269
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHD14N60E-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.86
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPD60R360P7ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7000
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60R360P7ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.54
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STD16N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2500
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD16N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.79
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQPF6N80C
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
HUFA75545P3
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
SFT1452-TL-W
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA
NVMFS5C410NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN