Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCH25N60N
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCH25N60N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
Poptejte online
12838792
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCH25N60N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
SupreMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3352 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
216W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
FCH25N60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCH25N60N
Technické listy
FCH25N60N
HTML Datový list
FCH25N60N-DG
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
FCH25N60NOS
2156-FCH25N60N-488
FCH25N60N-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPW60R099CPAFKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
196
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW60R099CPAFKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.16
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SIHG33N65E-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHG33N65E-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.91
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SCT3080ALGC11
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1587
DiGi ČÍSLO DÍLU
SCT3080ALGC11-DG
CENY ZA JEDNOTKU
6.38
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXKH35N60C5
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
117
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXKH35N60C5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
6.79
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFH34N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
89
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH34N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.08
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMC8010
MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
FQL40N50F
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
FQU7P06TU
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
FQB70N10TM_AM002
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK