Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCP099N60E
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCP099N60E-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
390 Ks Nový Originál Skladem
12836448
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCP099N60E Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
37A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
99mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3465 pF @ 380 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
357W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FCP099
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCP099N60E
Technické listy
FCP099N60E
HTML Datový list
FCP099N60E-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-FCP099N60E-OS
ONSONSFCP099N60E
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPP65R125C7XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
470
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP65R125C7XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.09
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SIHP28N65E-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHP28N65E-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.49
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP34NM60ND
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
969
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP34NM60ND-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.81
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP30N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5189
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP30N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.17
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPP60R099P6XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP60R099P6XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.69
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
HUF76639S3ST-F085
MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
AUIRFZ24NS
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
FDB24AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB
BSL207SPL6327HTSA1
MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6