Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
DR Kongo
Argentina
Turecko
Rumunsko
Litva
Norsko
Rakousko
Angola
Slovensko
LTALY
Finsko
Bělorusko
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Černá Hora
Ruština
Belgie
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Moldavsko
Německo
Nizozemsko
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
Francie
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Portugalsko
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Španělsko
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCP11N60
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCP11N60-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
739 Ks Nový Originál Skladem
12851480
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCP11N60 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FCP11
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCP11N60, FCPF11N60
Technické listy
FCP11N60
HTML Datový list
FCP11N60-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
FCP11N60_NL
2156-FCP11N60-OS
FCP11N60_NL-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTP12N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP12N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.28
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP13N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
971
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
STP13NM60ND
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
87
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13NM60ND-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.64
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
AOT11S60L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1100
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOT11S60L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.93
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFP22N60P3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP22N60P3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.48
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
HUF75307D3ST
MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
FDMC86260
MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
IPA70R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
BSS123LT3G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3