Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCP165N65S3
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCP165N65S3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
Poptejte online
12848638
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCP165N65S3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET® III
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
19A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.9mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
154W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FCP165
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCP165N65S3
Technické listy
FCP165N65S3
HTML Datový list
FCP165N65S3-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
FCP165N65S3OS
FCP165N65S3-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SPP24N60C3XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
129
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPP24N60C3XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.95
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPP60R180P7XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP60R180P7XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.05
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP24NM60N
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
486
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP24NM60N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.39
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SIHP22N60EL-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHP22N60EL-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.92
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FCP165N65S3R0
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2115
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP165N65S3R0-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.00
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
FQA90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN
AON4420
MOSFET N-CH 30V 10A 8DFN
NTVS3141PT2G
MOSFET P-CH 20V CSP-6
NDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC