Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCP190N65F
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCP190N65F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
1600 Ks Nový Originál Skladem
12845181
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCP190N65F Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
FRFET®, SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3225 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FCP190
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCP190N65F
Technické listy
FCP190N65F
HTML Datový list
FCP190N65F-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-FCP190N65F-OS
ONSONSFCP190N65F
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SIHP22N60E-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHP22N60E-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.67
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP24N60DM2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
105
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP24N60DM2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.48
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP26N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP26N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.34
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP20N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
945
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP20N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.36
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AOC2423
MOSFET P-CH 20V 2A 4ALPHADFN
NVMFS4C05NWFT3G
MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
AON6262E
MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
AON7246E
MOSFET N-CHANNEL 60V 13A 8DFN