Číslo produktu výrobce:
FCP360N65S3R0
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCP360N65S3R0-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
411 Ks Nový Originál Skladem
12851229
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
nlaX
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCP360N65S3R0 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET® III
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FCP360
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-FCP360N65S3R0-488
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP16N65M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP16N65M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.01
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP13NM60N
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
649
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13NM60N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.01
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQI8N60CTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
FDB8896-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
FCP220N80
MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3