Číslo produktu výrobce:
FCP850N80Z
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCP850N80Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
766 Ks Nový Originál Skladem
12847323
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCP850N80Z Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 600µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1315 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
136W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FCP850
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
2156-FCP850N80Z-OS
ONSONSFCP850N80Z
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTP4N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
232
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP4N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.12
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDN361AN
MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
FDD8778
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
BSD314SPEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
