Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCPF11N60T
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCPF11N60T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventář:
18 Ks Nový Originál Skladem
12846249
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCPF11N60T Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
36W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FCPF11
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCP11N60, FCPF11N60
Technické listy
FCPF11N60T
HTML Datový list
FCPF11N60T-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFP12N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
290
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP12N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.73
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SPA11N60C3XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
140
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPA11N60C3XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.41
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP15N60M2-EP
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
334
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP15N60M2-EP-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FCPF11N60
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
461
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCPF11N60-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.58
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
SIHA12N60E-E3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
923
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHA12N60E-E3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.99
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AOI4146
MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO251A
FDC3512
MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6
FDMS7658AS
MOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN
FDMC2514SDC
MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33