Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCPF190N65S3L1
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCPF190N65S3L1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventář:
Poptejte online
12847029
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCPF190N65S3L1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
SuperFET® III
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
14A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1225 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
33W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FCPF190
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCPF190N65S3L1
Technické listy
FCPF190N65S3L1
HTML Datový list
FCPF190N65S3L1-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-FCPF190N65S3L1-OS
ONSONSFCPF190N65S3L1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STF28N60DM2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
991
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF28N60DM2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.53
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
R6024ENX
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
464
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6024ENX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.57
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
TSM60NB150CF C0G
VÝROBCE
Taiwan Semiconductor Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
15
DiGi ČÍSLO DÍLU
TSM60NB150CF C0G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.44
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF20N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
303
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF20N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.35
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SIHA22N60AE-E3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHA22N60AE-E3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.65
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
HUFA76419S3S
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
FQD5N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
HUFA75637S3ST
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK