Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCPF400N60
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCPF400N60-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventář:
Poptejte online
12840579
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCPF400N60 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1580 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
31W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FCPF400
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCPF400N60
Technické listy
FCPF400N60
HTML Datový list
FCPF400N60-DG
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
FCPF400N60OS
FCPF400N60FS
FCPF400N60FS-DG
FCPF400N60-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TK10A60W,S4X
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK10A60W,S4X-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.40
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF13N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1413
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF13N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.67
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF11N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF11N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.83
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SIHA12N60E-E3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
923
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHA12N60E-E3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.99
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
R6011ENX
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
494
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6011ENX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.27
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NTB85N03T4G
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
NCV8440ASTT1G
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
MTB50P03HDLG
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
IPA030N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP