FCPF9N60NTYDTU
Číslo produktu výrobce:

FCPF9N60NTYDTU

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FCPF9N60NTYDTU-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventář:

12930568
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FCPF9N60NTYDTU Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
SupreMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1240 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
29.8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3 (Y-Forming)
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Základní číslo výrobku
FCPF9N60

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
800
Další jména
2832-FCPF9N60NTYDTU
2832-FCPF9N60NTYDTU-488

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
alpha-and-omega-semiconductor

AON6518

MOSFET N-CH 30V 48A/85A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AON6526

MOSFET N-CH 30V 24A/32A 8DFN

onsemi

FDMS86581-F085

MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN

onsemi

FQD2N90TM

MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK