Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCU4300N80Z
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCU4300N80Z-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 1.6A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventář:
Poptejte online
12836350
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCU4300N80Z Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
SuperFET® II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.3Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 160µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
355 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
27.8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I-PAK
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
FCU4300
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCU4300N80Z
Technické listy
FCU4300N80Z
HTML Datový list
FCU4300N80Z-DG
Další informace
Standardní balíček
1,800
Další jména
2832-FCU4300N80Z
2832-FCU4300N80Z-488
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STU2N80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
119
DiGi ČÍSLO DÍLU
STU2N80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.46
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFUC20PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFUC20PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.60
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STD2HNK60Z-1
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3054
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD2HNK60Z-1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.51
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STD3NK80Z-1
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3000
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD3NK80Z-1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.73
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STU2LN60K3
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
100
DiGi ČÍSLO DÍLU
STU2LN60K3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.78
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQP6P25
MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3
HUF76429S3S
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
CPH3355-TL-H
MOSFET P-CH 30V 2.5A 3CPH
FDS4410
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC