Číslo produktu výrobce:
FDA62N28
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDA62N28-DG
Popis:
MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 280 V 62A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventář:
12847255
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDA62N28 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
UniFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
280 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
62A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
51mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4630 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PN
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FDA62
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTQ50N25T
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
242
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTQ50N25T-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.10
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
2SK1317-E
VÝROBCE
Renesas Electronics Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5608
DiGi ČÍSLO DÍLU
2SK1317-E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.29
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDZ371PZ
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
HUF76429P3
MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK