FDB050AN06A0
Číslo produktu výrobce:

FDB050AN06A0

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDB050AN06A0-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventář:

79 Ks Nový Originál Skladem
12836852
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDB050AN06A0 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
245W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FDB050

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
800
Další jména
2832-FDB050AN06A0
FDB050AN06A0CT
FDB050AN06A0DKR
FDB050AN06A0TR
FDB050AN06A0-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
IXFA230N075T2-7
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
45
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFA230N075T2-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFS3306TRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
86
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFS3306TRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.10
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPB054N06N3GATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1043
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB054N06N3GATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.72
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
PHB21N06LT,118
VÝROBCE
NXP USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
978
DiGi ČÍSLO DÍLU
PHB21N06LT,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.38
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PSMN4R6-60BS,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
10374
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN4R6-60BS,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.87
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FQB19N10LTM

MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

onsemi

HUFA76633S3S

MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK

onsemi

2V7002LT3G

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

infineon-technologies

BSP295H6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4