Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FDB050AN06A0
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDB050AN06A0-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
79 Ks Nový Originál Skladem
12836852
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDB050AN06A0 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
245W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FDB050
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FDB050AN06A0, FDP050AN06A0
Technické listy
FDB050AN06A0
HTML Datový list
FDB050AN06A0-DG
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
2832-FDB050AN06A0
FDB050AN06A0CT
FDB050AN06A0DKR
FDB050AN06A0TR
FDB050AN06A0-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFA230N075T2-7
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
45
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFA230N075T2-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFS3306TRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
86
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFS3306TRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.10
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPB054N06N3GATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1043
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPB054N06N3GATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.72
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
PHB21N06LT,118
VÝROBCE
NXP USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
978
DiGi ČÍSLO DÍLU
PHB21N06LT,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.38
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PSMN4R6-60BS,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
10374
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN4R6-60BS,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.87
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
HUFA76633S3S
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
2V7002LT3G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSP295H6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4