Číslo produktu výrobce:
FDB060AN08A0
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDB060AN08A0-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 16A (Ta), 80A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
1060 Ks Nový Originál Skladem
12837704
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDB060AN08A0 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
75 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
16A (Ta), 80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5150 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
255W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FDB060
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FDB060AN08A0DKR
2156-FDB060AN08A0-OS
FDB060AN08A0CT
FDB060AN08A0-DG
FDB060AN08A0TR
ONSFDB060AN08A0
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AUIRL1404ZL
MOSFET N-CH 40V 160A TO262
FDD6688S
MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK
BSO4822
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
