FDB20N50F
Číslo produktu výrobce:

FDB20N50F

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDB20N50F-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventář:

12950 Ks Nový Originál Skladem
12837274
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDB20N50F Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
FRFET®, UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
260mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3390 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FDB20N50

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
800
Další jména
FDB20N50FCT
2156-FDB20N50F-488
FDB20N50FDKR
FDB20N50FTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDP8876

MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3

onsemi

FDMC86244

MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP

onsemi

FQAF11N90C

MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF

infineon-technologies

AUIRF2907ZS7PTL

MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK