Číslo produktu výrobce:
FDB2614
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDB2614-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 62A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
1095 Ks Nový Originál Skladem
12850985
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDB2614 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
62A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
27mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
99 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7230 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
260W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FDB261
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
2156-FDB2614-OS
2832-FDB2614
FDB2614DKR
FDB2614TR
ONSONSFDB2614
FDB2614CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDU6N25
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
FDPF2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
FDD26AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
