Číslo produktu výrobce:
FDB2670
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDB2670-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 19A (Ta) 93W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12840090
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDB2670 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
19A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
130mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1320 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
93W (Tc)
Provozní teplota
-65°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FDB267
Další informace
Standardní balíček
800
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
DIGI Certifikace
Související produkty
FQPF7N40
MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F
MVSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
NTD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
