FDBL0210N80
Číslo produktu výrobce:

FDBL0210N80

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDBL0210N80-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-HPSOF

Inventář:

3690 Ks Nový Originál Skladem
12836775
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDBL0210N80 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
240A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
169 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10000 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
357W (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-HPSOF
Balení / pouzdro
8-PowerSFN
Základní číslo výrobku
FDBL0210

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,000
Další jména
FDBL0210N80CT
FDBL0210N80DKR
FDBL0210N80TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

BSC196N10NSGATMA1

MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON

onsemi

FQP8N60C

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3

onsemi

FDPF7N50U-G

MOSFET N-CH 500V 5A TO220F

infineon-technologies

BSC059N04LS6ATMA1

MOSFET N-CH 40V 17A TDSON