Číslo produktu výrobce:
FDBL0260N100
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDBL0260N100-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 3.5W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
Inventář:
1980 Ks Nový Originál Skladem
12848650
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDBL0260N100 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
200A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9265 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.5W (Ta), 250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-HPSOF
Balení / pouzdro
8-PowerSFN
Základní číslo výrobku
FDBL0260
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
FDBL0260N100TR
FDBL0260N100-DG
FDBL0260N100DKR
FDBL0260N100CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPT020N10N3ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2232
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPT020N10N3ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.25
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AOL1240
MOSFET N-CH 40V 19A/69A ULTRASO8
AON6444L
MOSFET N-CH 60V 8DFN
AON7458
MOSFET N-CH 250V 1.5A/5A 8DFN
