Číslo produktu výrobce:
FDC3535
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDC3535-DG
Popis:
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
Podrobný popis:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventář:
12846224
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDC3535 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
183mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SuperSOT™-6
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
FDC3535
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2832-FDC3535
FDC3535DKR
FDC3535TR
FDC3535CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SI3129DV-T1-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI3129DV-T1-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.20
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
AOTF27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO220-3F
FCH47N60-F133
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
AOTF472
MOSFET N-CH 75V 10A/53A TO220FL
