Číslo produktu výrobce:
FDC602P
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDC602P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventář:
11530 Ks Nový Originál Skladem
12837349
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDC602P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1456 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SuperSOT™-6
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
FDC602
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDC602PTR
FDC602PCT
FDC602P-DG
FDC602PDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDD050N03B
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
FDS6679
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
FQP4N90
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
