Číslo produktu výrobce:
FDC6302P
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDC6302P-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventář:
12836886
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDC6302P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11pF @ 10V
Výkon - Max
700mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balíček zařízení dodavatele
SuperSOT™-6
Základní číslo výrobku
FDC6302
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NTJD4152PT1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
15411
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTJD4152PT1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.10
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS1D2N03DSD
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
