Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FDC6302P
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDC6302P-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventář:
Poptejte online
12836886
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDC6302P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11pF @ 10V
Výkon - Max
700mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balíček zařízení dodavatele
SuperSOT™-6
Základní číslo výrobku
FDC6302
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FDC6302P
Technické listy
FDC6302P
HTML Datový list
FDC6302P-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NTJD4152PT1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
15411
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTJD4152PT1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.10
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS1D2N03DSD
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
ECH8652-TL-H
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH