FDC638P-P
Číslo produktu výrobce:

FDC638P-P

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDC638P-P-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventář:

12997490
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDC638P-P Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SuperSOT™-6
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
FDC638

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
488-FDC638P-PTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
FDC638P
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4802
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDC638P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.16
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
nexperia

2N7002HWX

2N7002HW/SOT323/SC-70

comchip-technology

CMS23P04D-HF

MOSFET P-CH 40V 23A DPAK

nexperia

PH6030DLV-CBSNX

MOSFET N-CH 30V LFPAK

infineon-technologies

IPT054N15N5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8