Číslo produktu výrobce:
FDC6401N
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDC6401N-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 3A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventář:
432 Ks Nový Originál Skladem
12837860
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDC6401N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
70mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
324pF @ 10V
Výkon - Max
700mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balíček zařízení dodavatele
SuperSOT™-6
Základní číslo výrobku
FDC6401
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDC6401NTR
FDC6401NCT
FDC6401NDKR
FDC6401N-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NTHD4508NT1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
314
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTHD4508NT1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.68
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDS4935
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
FW811-TL-E
MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP
EFC2K103NUZTDG
MOSFET 2N-CH 12V 40A 10WLCSP