Číslo produktu výrobce:

FDC640P

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDC640P-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

Podrobný popis:

P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventář:

6642 Ks Nový Originál Skladem

12840459

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

FDC640P Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

20 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

4.5A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

2.5V, 4.5V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

53mOhm @ 4.5A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1.5V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±12V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

890 pF @ 10 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

1.6W (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

SuperSOT™-6

Balení / pouzdro

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Základní číslo výrobku

FDC640

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček

3,000

Další jména

FDC640PTR

FDC640PCT

FDC640P-DG

FDC640PDKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

FDMS3572

MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP

onsemi

NTMFS4C024NT3G

MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN

infineon-technologies

AUIRFS4310TRL

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

onsemi

ECH8308-TL-H

MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH