Číslo produktu výrobce:
FDC6561AN
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDC6561AN-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventář:
15661 Ks Nový Originál Skladem
12848019
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDC6561AN Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
95mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 15V
Výkon - Max
700mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balíček zařízení dodavatele
SuperSOT™-6
Základní číslo výrobku
FDC6561
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDC6561ANDKR
2832-FDC6561AN
FDC6561ANCT
FDC6561ANTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMA6023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
AO7600_001
MOSFET N/P-CH 20V 0.9A SC70-6
AON7932_101
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
