Číslo produktu výrobce:
FDD10N20LZTM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDD10N20LZTM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12847239
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDD10N20LZTM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
UniFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
360mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
585 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FDD10N20
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FAIFSCFDD10N20LZTM
2156-FDD10N20LZTM-OS
FDD10N20LZTM-DG
FDD10N20LZTMTR
FDD10N20LZTMCT
FDD10N20LZTMDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
