Číslo produktu výrobce:
FDD3672
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDD3672-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 44A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
25573 Ks Nový Originál Skladem
12840358
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDD3672 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
UltraFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.5A (Ta), 44A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
28mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1710 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
135W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FDD367
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
2832-FDD3672TR
FDD3672CT
FDD3672DKR
FDD3672TR
2156-FDD3672-OS
2156-FDD3672-NXP
ONSONSFDD3672
FDD3672-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMC8884
MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
MVB50P03HDLT4G
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
MCH5839-TL-W
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88AFL
