Číslo produktu výrobce:
FDD6676AS
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDD6676AS-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 90A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12851322
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDD6676AS Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
90A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.7mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
70W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FDD667
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFR3709ZTRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5910
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFR3709ZTRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.30
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
DMN3009SK3-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
817
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN3009SK3-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.17
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDME430NT
MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
FQNL1N50BTA
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
HUF75639S3
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
