Číslo produktu výrobce:
FDD7N20TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDD7N20TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
11419 Ks Nový Originál Skladem
12848586
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDD7N20TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
690mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
43W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FDD7N20
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDD7N20TMCT
FDD7N20TMTR
FDD7N20TMDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQAF34N25
MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
FQPF2P40
MOSFET P-CH 400V 1.34A TO220F
FQP11P06
MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3
