Číslo produktu výrobce:
FDD86113LZ
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDD86113LZ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12926583
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDD86113LZ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
104mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
285 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 29W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FDD86113
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDD86113LZFSDKR
FDD86113LZFSCT
FDD86113LZFSTR
FDD86113LZ-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN10H100SK3-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4328
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN10H100SK3-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.23
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STD15NF10T4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2040
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD15NF10T4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.48
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
JANTX2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
AOT2500L
MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220
JAN2N7227
MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA