Číslo produktu výrobce:
FDD86252
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDD86252-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
80199 Ks Nový Originál Skladem
12838853
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDD86252 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Ta), 27A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
52mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
985 pF @ 75 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.1W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FDD862
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDD86252CT
FDD86252TR
FDD86252DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS86368-F085
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
64-9146
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
FDS6670A
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
