Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FDD8882
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDD8882-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
343 Ks Nový Originál Skladem
12847791
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDD8882 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12.6A (Ta), 55A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1260 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
55W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FDD888
Technický list a dokumenty
Technické listy
FDD8882
HTML Datový list
FDD8882-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDD8882DKR
ONSONSFDD8882
FDD8882TR
FDD8882-DG
2156-FDD8882-OS
2832-FDD8882TR
FDD8882CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPD30N03S4L14ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
18945
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.28
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPD70N03S4L04ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5130
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD70N03S4L04ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.48
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPD135N03LGATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
31780
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD135N03LGATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BUK9214-30A,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
32336
DiGi ČÍSLO DÍLU
BUK9214-30A,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.47
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDP6030BL
MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3
NTB27N06LT4
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
NVD6416ANT4G
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
NVF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223