Číslo produktu výrobce:
FDFM2N111
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDFM2N111-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm
Inventář:
12847802
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDFM2N111 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
100mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
273 pF @ 10 V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
1.7W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
MicroFET 3x3mm
Balení / pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
FDFM2
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDFM2N111-DG
FDFM2N111CT
FDFM2N111TR
FDFM2N111DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMFS5C612NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
NTMSD2P102R2
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
CPH6442-TL-W
MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH
