Číslo produktu výrobce:
FDFMA2P029Z
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDFMA2P029Z-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventář:
12849466
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDFMA2P029Z Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
95mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 10 V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
1.4W (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
6-MicroFET (2x2)
Balení / pouzdro
6-VDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
FDFMA2
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2832-FDFMA2P029ZTR
FDFMA2P029ZDKR
FDFMA2P029ZCT
2832-FDFMA2P029Z-488
FDFMA2P029ZTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AON6284A
MOSFET N-CHANNEL 80V 48A 8DFN
FCP380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
AON2705
MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN
