Číslo produktu výrobce:
FDFME3N311ZT
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDFME3N311ZT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Inventář:
12850488
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDFME3N311ZT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
299mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
75 pF @ 15 V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
1.4W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
6-MicroFET (1.6x1.6)
Balení / pouzdro
6-UFDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
FDFME3
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
FDFME3N311ZT-DG
FDFME3N311ZTTR
FDFME3N311ZTCT
FDFME3N311ZTDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SSM6H19NU,LF
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
54777
DiGi ČÍSLO DÍLU
SSM6H19NU,LF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.07
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
HUFA76409D3ST
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
FDMC86102
MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
FDC5612
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
