FDFS2P102
Číslo produktu výrobce:

FDFS2P102

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDFS2P102-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventář:

12846459
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDFS2P102 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
125mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 10 V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
900mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FDFS2

Technický list a dokumenty

Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
FDFS2P102_NLCT-DG
FDFS2P102_NLCT
FDFS2P102_NLTR-DG
FDFS2P102TR-NDR
FDFS2P102_NLTR
FDFS2P102CT
FDFS2P102CT-NDR
FDFS2P102_NL
FDFS2P102TR
FDFS2P102DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDS6675

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

FDMC4436BZ

MOSFET P-CH

alpha-and-omega-semiconductor

AOWF4N60

MOSFET N-CH 600V 4A TO262F

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4162

MOSFET N-CH 30V 16A/46A TO252