Číslo produktu výrobce:
FDFS2P102A
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDFS2P102A-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
12839210
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDFS2P102A Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
125mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
182 pF @ 10 V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
900mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FDFS2
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDFS2P102A_NLCT
FDFS2P102A_NLTR
FDFS2P102ADKR
FDFS2P102ACT-NDR
FDFS2P102ACT
FDFS2P102A_NL
FDFS2P102ATR
FDFS2P102ATR-NDR
FDFS2P102A_NLTR-DG
FDFS2P102A_NLCT-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
HUF76437S3S
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
FDS7296N3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
HUFA75344G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
