Číslo produktu výrobce:
FDFS2P103A
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDFS2P103A-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
12850369
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDFS2P103A Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
59mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 5 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 15 V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
900mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FDFS2
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FDFS2P103A_NLTR-DG
FDFS2P103ACT-NDR
FDFS2P103A_NLCT
FDFS2P103A_NLCT-DG
FDFS2P103A_NL
FDFS2P103A_NLTR
FDFS2P103ACT
FDFS2P103ATR
FDFS2P103ATR-NDR
FDFS2P103ADKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AOTF2610L
MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
FQPF15P12
MOSFET P-CH 120V 15A TO220F
FDS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
